| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±18V |
| เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 3-PQFN (8x8) |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 96W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 3-PowerDFN |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 760pF @ 400V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 8V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
