TP2510N8-G
TP2510N8-G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TP2510N8-G
ผู้ผลิต:
Micrel / Microchip Technology
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
49619 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
TP2510N8-G.pdf

บทนำ

TP2510N8-G ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ TP2510N8-G เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ TP2510N8-G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-243AA (SOT-89)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 750mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.6W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-243AA
ชื่ออื่น:TP2510N8-G-ND
TP2510N8-GTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:125pF @ 25V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 100V 480mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:480mA (Tj)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest