| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±15V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-PowerSO |
| ชุด: | STripFET™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 210W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 5500pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 175nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
