| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 4mA, 2A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-SIP |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 4W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-SIP |
| ชื่ออื่น: | STA457C DK |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 36 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 60V 4A 4W Through Hole 10-SIP |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 2000 @ 2A, 4V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 100µA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 4A |
| Email: | [email protected] |
