| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 200µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-3-1 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 50W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | SP000014478 SPP04N50C3 SPP04N50C3IN SPP04N50C3IN-ND SPP04N50C3X SPP04N50C3XK SPP04N50C3XTIN SPP04N50C3XTIN-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 470pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 560V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
