| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | - |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO262-3-1 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| ชื่ออื่น: | SP000055687 SPI100N08S207 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 75V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 75V 100A (Ta) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
