SIHF7N60E-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIHF7N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
จำนวน:
46260 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SIHF7N60E-GE3.pdf

บทนำ

SIHF7N60E-GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SIHF7N60E-GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SIHF7N60E-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220 Full Pack
ชุด:E
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):31W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3 Full Pack
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:680pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:40nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:7A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest