| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 800mV @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±5V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 4-Microfoot |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 2A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-UFBGA, WLCSP |
| ชื่ออื่น: | SI8424CDB-T1-E1CT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2340pF @ 4V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 8V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | - |
| Email: | [email protected] |
