SI3983DV-T1-E3
SI3983DV-T1-E3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI3983DV-T1-E3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
62136 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SI3983DV-T1-E3.pdf

บทนำ

SI3983DV-T1-E3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SI3983DV-T1-E3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SI3983DV-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.1V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-TSOP
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:830mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ชื่ออื่น:SI3983DV-T1-E3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
ประเภท FET:2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.1A
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน:SI3983
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest