SI1902CDL-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI1902CDL-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
34822 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SI1902CDL-T1-GE3.pdf

บทนำ

SI1902CDL-T1-GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SI1902CDL-T1-GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SI1902CDL-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-70-6 (SOT-363)
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:235 mOhm @ 1A, 4.5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:420mW
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ชื่ออื่น:SI1902CDL-T1-GE3CT
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:27 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:62pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:3nC @ 10V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.1A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest