| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 100mV @ 250µA, 5mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DFN1010B-6 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101 |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | 47 kOhms |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 2.2 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 230mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 1727-2709-2 568-13230-2 568-13230-2-ND 934069747147 PQMD10Z-ND |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 230MHz, 180MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100 @ 10mA, 5V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
