PHB21N06LT,118
PHB21N06LT,118
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PHB21N06LT,118
ผู้ผลิต:
Nexperia
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
61811 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
PHB21N06LT,118.pdf

บทนำ

PHB21N06LT,118 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ PHB21N06LT,118 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ PHB21N06LT,118 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±15V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:TrenchMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):56W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:1727-4762-2
568-5939-2
568-5939-2-ND
934054570118
PHB21N06LT /T3
PHB21N06LT /T3-ND
PHB21N06LT,118-ND
PHB21N06LT118
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:650pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:9.4nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):55V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 55V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:19A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest