| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 100mV @ 250µA, 5mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN - Pre-Biased |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
| ชุด: | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | 47 kOhms |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 4.7 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 500mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Box (TB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| ชื่ออื่น: | 934057574126 PDTC143ZS AMO PDTC143ZS AMO-ND |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100 @ 10mA, 5V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DTC143 |
| Email: | [email protected] |
