NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NVTR4502PT1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
83220 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
NVTR4502PT1G.pdf

บทนำ

NVTR4502PT1G ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ NVTR4502PT1G เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ NVTR4502PT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-23-3 (TO-236)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 1.95A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):400mW (Tj)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:NVTR4502PT1G-ND
NVTR4502PT1GOSTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:30 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:200pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 30V 1.13A (Ta) 400mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.13A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest