ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > NE3515S02-T1D-A
NE3515S02-T1D-A
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NE3515S02-T1D-A
ผู้ผลิต:
CEL (California Eastern Laboratories)
ลักษณะ:
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
43289 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
NE3515S02-T1D-A.pdf
การสอบสวน

บทนำ

NE3515S02-T1D-A ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ NE3515S02-T1D-A เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ NE3515S02-T1D-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:4V
ประเภททรานซิสเตอร์:HFET
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:S02
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:14dBm
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-SMD, Flat Leads
เสียงรบกวนเต็มตัว:0.3dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ได้รับ:12.5dB
ความถี่:12GHz
คำอธิบายโดยละเอียด:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
พิกัดกระแส:88mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE3515S02-T1D-A

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 การสอบสวน
NE3521M04-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI การสอบสวน
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 การสอบสวน
NE3517S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 การสอบสวน
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 การสอบสวน
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX การสอบสวน
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 การสอบสวน
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 การสอบสวน
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 การสอบสวน
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX การสอบสวน
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 การสอบสวน
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 การสอบสวน
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3521M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI การสอบสวน
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน

ข่าว Latest