MUN2215T1G
MUN2215T1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MUN2215T1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
46663 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
MUN2215T1G.pdf

บทนำ

MUN2215T1G ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ MUN2215T1G เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ MUN2215T1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:NPN - Pre-Biased
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-59
ชุด:-
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):10 kOhms
เพาเวอร์ - แม็กซ์:338mW
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:MUN2215T1GOSDKR
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:2 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:160 @ 5mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest