| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 15ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| เทคโนโลยี: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 90-VFBGA (8x13) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 90-VFBGA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 256Mb (8M x 32) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | DRAM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 100MHz 7ns 90-VFBGA (8x13) |
| ความถี่นาฬิกา: | 100MHz |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MT48V8M32 |
| เวลาในการเข้าถึง: | 7ns |
| Email: | [email protected] |
