MT47R256M8EB-25E:C
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MT47R256M8EB-25E:C
ผู้ผลิต:
Micron Technology
ลักษณะ:
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
61143 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
MT47R256M8EB-25E:C.pdf

บทนำ

MT47R256M8EB-25E:C ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ MT47R256M8EB-25E:C เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ MT47R256M8EB-25E:C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า:15ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:1.55 V ~ 1.9 V
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR2
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:60-FBGA (9x11.5)
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:60-FBGA
อุณหภูมิในการทำงาน:0°C ~ 85°C (TC)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ประเภทหน่วยความจำ:Volatile
ขนาดหน่วยความจำ:2Gb (256M x 8)
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ:Parallel
รูปแบบหน่วยความจำ:DRAM
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
ความถี่นาฬิกา:400MHz
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน:MT47R256M8
เวลาในการเข้าถึง:400ps
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest