| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 70ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| เทคโนโลยี: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 54-VFBGA (6x9) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 54-VFBGA |
| ชื่ออื่น: | MT45W4MW16BBB-706 L WT-ND MT45W4MW16BBB-706LWT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Mb (4M x 16) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | PSRAM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 70ns 54-VFBGA (6x9) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MT45W4MW16 |
| เวลาในการเข้าถึง: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
