| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 35ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 44-TSOP II |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 1Mb (64K x 16) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | RAM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 35ns 44-TSOP II |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MR0A16A |
| เวลาในการเข้าถึง: | 35ns |
| Email: | [email protected] |
