| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 8V @ 3.3A, 10A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | PNP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I-PAK |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1.75W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 2MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 20 @ 4A, 4V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 50µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 10A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MJD2955 |
| Email: | [email protected] |
