| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 100ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| เทคโนโลยี: | SRAM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 28-DIP |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| ชื่ออื่น: | 425-1830-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -10°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Kb (8K x 8) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | SRAM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SRAM Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 100ns 28-DIP |
| เวลาในการเข้าถึง: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
