JANTXV1N6631
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JANTXV1N6631
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
จำนวน:
45438 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
JANTXV1N6631.pdf

บทนำ

JANTXV1N6631 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ JANTXV1N6631 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ JANTXV1N6631 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.6V @ 1.4A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):1100V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:E-PAK
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/590
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):60ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:E, Axial
ชื่ออื่น:1086-19998
1086-19998-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 1100V 1.4A Through Hole E-PAK
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:4µA @ 1100V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):1.4A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest