JANTX1N5809URS
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JANTX1N5809URS
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
จำนวน:
60464 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
JANTX1N5809URS.pdf

บทนำ

JANTX1N5809URS ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ JANTX1N5809URS เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ JANTX1N5809URS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:875mV @ 4A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):100V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:B, SQ-MELF
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/477
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):30ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, B
ชื่ออื่น:1086-19442
1086-19442-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:5µA @ 100V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):3A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest