| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.5V @ 9A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | B, Axial |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 400ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | B, Axial |
| ชื่ออื่น: | 1086-2094 1086-2094-MIL Q8738938A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 600V 3A Through Hole B, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 3A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5518CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | การสอบสวน |
 |
JAN1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | การสอบสวน |
 |
JAN1N5519C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
JAN1N5518DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | การสอบสวน |
 |
JAN1N5419US | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | การสอบสวน |
|
JAN1N5417US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | การสอบสวน |
|
JAN1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | การสอบสวน |
|
JAN1N5518D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
JAN1N5518B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | การสอบสวน |
 |
JAN1N5419 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5519B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
JAN1N5416US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5518C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
JAN1N5415 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5519BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA | การสอบสวน |
|
JAN1N5518BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | การสอบสวน |
 |
JAN1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
JAN1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | การสอบสวน |