IXFN130N30
IXFN130N30
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFN130N30
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
67690 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IXFN130N30.pdf

บทนำ

IXFN130N30 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ IXFN130N30 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ IXFN130N30 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227B
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):700W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:14500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:380nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):300V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 300V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:130A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest