| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±8V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Micro3™/SOT-23 |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.3W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ชื่ออื่น: | IRLML6401GTRPBF IRLML6401GTRPBF-ND IRLML6401GTRPBFTR IRLML6401GTRPBFTR-ND IRLML6401PBFTR SP001568584 SP001577044 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 830pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 12V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
