| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | IPAK (TO-251) |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 5.2A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 35W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ชื่ออื่น: | *IRFU120ZPBF SP001578408 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 310pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 8.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
