| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 900pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | D-Pak |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 125 mOhm @ 11A, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | HEXFET® |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 18A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRFR18N15DTRR |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 43nC @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 150V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
