| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TSSOP |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ชื่ออื่น: | *IRF7756 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1400pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 12V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.3A |
| Email: | [email protected] |
