IPD50P04P4L11ATMA1
IPD50P04P4L11ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD50P04P4L11ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
จำนวน:
54967 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IPD50P04P4L11ATMA1.pdf

บทนำ

IPD50P04P4L11ATMA1 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ IPD50P04P4L11ATMA1 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ IPD50P04P4L11ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 85µA
Vgs (สูงสุด):±16V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3-313
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:10.6 mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):58W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD50P04P4L-11
IPD50P04P4L-11TR
IPD50P04P4L-11TR-ND
IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11ATMA1TR
SP000671156
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3900pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:59nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest