IPB072N15N3GE8187ATMA1
IPB072N15N3GE8187ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB072N15N3GE8187ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
56784 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IPB072N15N3GE8187ATMA1.pdf

บทนำ

IPB072N15N3GE8187ATMA1 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ IPB072N15N3GE8187ATMA1 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ IPB072N15N3GE8187ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:7.2 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IPB072N15N3 G E8187
IPB072N15N3 G E8187-ND
IPB072N15N3 G E8187TR-ND
IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
SP000938816
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5470pF @ 75V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:93nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):8V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):150V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest