IPB021N06N3GATMA1
IPB021N06N3GATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB021N06N3GATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
47047 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IPB021N06N3GATMA1.pdf

บทนำ

IPB021N06N3GATMA1 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ IPB021N06N3GATMA1 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ IPB021N06N3GATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 196µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D²PAK (TO-263AB)
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):250W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IPB021N06N3 GDKR
IPB021N06N3 GDKR-ND
IPB021N06N3GATMA1DKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:23000pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:275nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:120A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest