| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 400mV @ 200mA, 2A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | PNP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-226 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 75MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 75MHz 1W Through Hole TO-226 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 250 @ 500mA, 2V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 100nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 3A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | FPN660 |
| Email: | [email protected] |
