FDS4435BZ-F085
FDS4435BZ-F085
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDS4435BZ-F085
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
49382 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
FDS4435BZ-F085.pdf

บทนำ

FDS4435BZ-F085 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ FDS4435BZ-F085 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ FDS4435BZ-F085 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SO
ชุด:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 8.8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.5W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:FDS4435BZ-F085DKR
FDS4435BZ_F085DKR
FDS4435BZ_F085DKR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:29 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1845pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:40nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8.8A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest