| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 1.2mA |
| Vgs (สูงสุด): | +6V, -5V |
| เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Die Outline (5-Solder Bar) |
| ชุด: | eGaN® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 6A, 5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
| ชื่ออื่น: | 917-1015-6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 205pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2.8nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 6A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
