CDM22011-600LRFP SL
CDM22011-600LRFP SL
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CDM22011-600LRFP SL
ผู้ผลิต:
Central Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
71747 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
CDM22011-600LRFP SL.pdf

บทนำ

CDM22011-600LRFP SL ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ CDM22011-600LRFP SL เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ CDM22011-600LRFP SL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220FP
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 5.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3 Full Pack
ชื่ออื่น:CDM22011-600LRFP SL PBFREE
CDM22011-600LRFP SL-ND
CDM22011-600LRFPSL
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:763pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:23.05nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest