| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP3 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 500W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 32 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3800pF @ 1000V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 197nC @ 20V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| คุณสมบัติ FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 113A (Tc) 500W Chassis Mount SP3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 113A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
