| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 3.2V @ 15V, 70A |
| ทดสอบสภาพ: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| การสลับพลังงาน: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 961W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 544nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 280A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 160A |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | การสอบสวน |
 |
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | การสอบสวน |
 |
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |
|
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | การสอบสวน |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | การสอบสวน |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | การสอบสวน |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | การสอบสวน |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | การสอบสวน |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | การสอบสวน |