| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.2V @ 500µA |
| Vgs (สูงสุด): | +25V, -10V |
| เทคโนโลยี: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D3Pak |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 2A, 20V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 52W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 325pF @ 1000V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 29nC @ 20V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 20V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1700V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 1700V 4.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60D100LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | การสอบสวน |
 |
APT58M50JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT6017LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | การสอบสวน |
 |
APT6040BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | การสอบสวน |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT58M50JU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT60D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | การสอบสวน |
|
APT58F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT5F100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | การสอบสวน |
|
APT58M50JU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT6030BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | การสอบสวน |
|
APT58M50JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT58MJ50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | การสอบสวน |
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT5SM170B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | การสอบสวน |
|
APT58M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT58M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT6040BNG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | การสอบสวน |