| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 [B] |
| ชุด: | POWER MOS 8™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 9A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 500W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3760pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 800V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT17F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | การสอบสวน |
|
APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT19M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT2012CGCK | Kingbright | LED GREEN CLEAR CHIP SMD | การสอบสวน |
|
APT17F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | การสอบสวน |
|
APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | การสอบสวน |
|
APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT17F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | การสอบสวน |