| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±16V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-DFN-EP (3x3) |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 4.1W (Ta), 15.5W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 280pF @ 37.5V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 75V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 75V 4A (Ta), 7.5A (Tc) 4.1W (Ta), 15.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4A (Ta), 7.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
