| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 5ms |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.7 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | EEPROM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TDFN-EP (2x3) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 34AA04T-E/MNY-ND 34AA04T-E/MNYTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kb (256 x 8 x 2) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | I²C |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | EEPROM |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | EEPROM Memory IC 4Kb (256 x 8 x 2) I²C 1MHz 350ns 8-TDFN-EP (2x3) |
| ความถี่นาฬิกา: | 1MHz |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 34AA04 |
| เวลาในการเข้าถึง: | 350ns |
| Email: | [email protected] |
