| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | PNP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-5 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 800mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| ชื่ออื่น: | 1086-20749 1086-20749-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 800mW Through Hole TO-5 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 40 @ 150mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
