| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 1910pF @ 30V |
| Напряжение - Разбивка: | 8-SO |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8A (Tc) |
| Мощность - Макс: | 5W (Tc) |
| поляризация: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Номер детали производителя: | SQ4917EY-T1_GE3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 65nC @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET Характеристика: | 2 P-Channel (Dual) |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | Standard |
| Описание: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 60V |
| Email: | [email protected] |
