| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 580pF @ 20V |
| Напряжение - Разбивка: | 8-SO |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Серии: | TrenchFET® |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.2A |
| Мощность - Макс: | 3.1W |
| поляризация: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | SI4288DY-T1-GE3TR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 24 Weeks |
| Номер детали производителя: | SI4288DY-T1-GE3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 15nC @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET Характеристика: | 2 N-Channel (Dual) |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | Logic Level Gate |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 40V |
| Email: | [email protected] |
