| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 5400pF @ 25V |
| Напряжение - Разбивка: | TO-3PN |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 28 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (макс.): | 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | QFET® |
| Статус RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 70A (Tc) |
| поляризация: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Номер детали производителя: | FQA70N15 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 175nC @ 10V |
| Тип IGBT: | ±25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 150V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 150V |
| Коэффициент емкости: | 330W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
