| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 2A |
| Напряжение - Разбивка: | D²PAK (TO-263) |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 800V |
| Серии: | ESBC™ |
| Статус RoHS: | Tube |
| Резистор - Base (R1) (Ом): | 5MHz |
| Мощность - Макс: | 110W |
| поляризация: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 6 Weeks |
| Номер детали производителя: | FJBE2150DTU |
| Частота - Переход: | 20 @ 400mA, 3V |
| Расширенное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Описание: | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100µA |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 250mV @ 330mA, 1A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | NPN |
| Email: | [email protected] |
