GB05SLT12-252
GB05SLT12-252
Modelo do Produto:
GB05SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
51214 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GB05SLT12-252.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Pico Reversa (Max):Silicon Carbide Schottky
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:5A
Tensão - Breakdown:TO-252
Série:-
Status de RoHS:Bulk
Inversa de tempo de recuperação (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistência @ Se, F:260pF @ 1V, 1MHz
Polarização:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:1242-1129
GB05SLT12252
Temperatura de Operação - Junção:0ns
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:GB05SLT12-252
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252
configuração de diodo:50µA @ 1200V
Descrição:DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.8V @ 2A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):1200V (1.2kV)
Capacitância @ Vr, F:-55°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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