FDD6N50TM
Modelo do Produto:
FDD6N50TM
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
77244 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD6N50TM.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:UniFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD6N50TM-5
FDD6N50TM-5-ND
FDD6N50TM-ND
FDD6N50TMTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Número da peça base:FDD6N50
Email:[email protected]

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